Project Details
Description
1.試作検出器評価装置の整備 本研究で開発を目指している外因性シリコン半導体による赤外線検出器は、絶対温度10K程度で動作させる必要があるため、液体ヘリウムデュワ-内に試作検出器を取り付けて試験が行えるように整備を行った。 2.以前の試作検出器の波長感度特性の評価 本研究の参考とするため、数年前に京都大学により試作されたSi:P検出器の波長感度特性の測定を行った。この検出器は期待通りの効率が得られなかったものであるが、相対的な波長感度特性についてはSi:Pとして正常な特性が得られた。効率が悪いことの原因は、燐以外の不純物濃度が高く、キャリアの移動度や寿命が小さいことであると思われる。 3.検出器の試作 燐の濃度が5〜10×10^cm^のSi:P結晶を入手し、検出器を試作した。この結晶は純度も高く、かなり高い性能が期待できる。但し、本補助金の執行が12月からであったため、今年度は性能評価までには至っていない。平成3年度に評価及び改良を行う予定である。
| Status | Active |
|---|---|
| Effective start/end date | 1/01/90 → … |
Funding
- 日本学術振興会