イオン注入法により作製した薄膜SiGe緩和層上の歪みSi-nMOSFET

Kentarou SAWANO, 福本敦之, 星裕介, 中川清和, 白木靖寛

Research output: Contribution to conference › Presentation

Conference	第68回応用物理学会学術講演会
Period	4/09/07 → …

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title = "イオン注入法により作製した薄膜SiGe緩和層上の歪みSi-nMOSFET",

author = "Kentarou SAWANO and 福本敦之 and \{星裕介\} and 中川清和 and 白木靖寛",

year = "2007",

month = sep,

language = "Japanese",

note = "第68回応用物理学会学術講演会 ; Conference date: 04-09-2007",

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