イオン注入法により作製した薄膜SiGe緩和層上の歪みSi-nMOSFET

Kentarou SAWANO, 福本敦之, 星 裕介, 中川清和, 白木靖寛

Research output: Contribution to conferencePresentation

Original languageJapanese
StatePublished - Sep 2007
Event第68回応用物理学会学術講演会 -
Duration: 4 Sep 2007 → …

Conference

Conference第68回応用物理学会学術講演会
Period4/09/07 → …

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