共鳴核反応法を用いた水素起因ゲート絶縁膜劣化の観測

三谷 祐一郎; 東 悠介; 高石 理一郎; 鈴木 正道; 中崎 靖; 冨田 充裕; 松本 益明; 加藤 弘一; 小倉 正平; 福谷 克之; Yuichiro MITANI

共鳴核反応法を用いた水素起因ゲート絶縁膜劣化の観測

三谷祐一郎, 東悠介, 高石理一郎, 鈴木正道, 中崎靖, 冨田充裕, 松本益明, 加藤弘一, 小倉正平, 福谷克之, Yuichiro MITANI

Department of Electrical,Electronic and Communication Engineering

Research output: Contribution to conference › Invited

Original language	Japanese
State	Published - 25 May 2018
Event	第207回回応用物理学会分科会シリコンテクノロジー - Duration: 25 May 2018 → …

Conference

Conference	第207回回応用物理学会分科会シリコンテクノロジー
Period	25/05/18 → …

Cite this

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TY - CONF

T1 - 共鳴核反応法を用いた水素起因ゲート絶縁膜劣化の観測

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AU - MITANI, Yuichiro

PY - 2018/5/25

Y1 - 2018/5/25

M3 - 口頭発表

T2 - 第207回回応用物理学会分科会シリコンテクノロジー

Y2 - 25 May 2018

ER -