単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討

2重ゲート構造を有する不揮発性メモリセルの微細化のためには、電極間絶縁膜の薄膜化が重要な課題である。これまで、われわれは電極間絶縁膜の薄膜化の阻害要因が電極間絶縁薄膜の欠陥密度増加にあることを明らかにし、その欠陥発生メカニズムとして後酸化工程における多結晶シリコン浮遊ゲ-ト電極のグレイン成長に伴う電極間絶縁膜の局所的な薄膜化モデルを提案した[1]。本研究では、上記グレイン成長モデルに起因する欠陥発生を本質的に回避する観点から、浮遊ゲート電極の単結晶化プロセスについて検討を行った。以下、電極間絶縁膜、トンネル酸化膜に与える効果について調べた結果を報告する。