硬X線角度分解光電子分光法と高分解能ラザフォード後方散乱法によるHfO2/Si(100)の化学結合状態の深さ方向分析

Research output: Contribution to conference › Presentation

Original language	Japanese
State	Published - 2004
Event	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会 - Duration: 1 Jan 2004 → …

Conference	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会
Period	1/01/04 → …

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@conference{ed1b098114654aed9ce8968002aedb0f,

title = "硬X線角度分解光電子分光法と高分解能ラザフォード後方散乱法によるHfO2/Si(100)の化学結合状態の深さ方向分析",

author = "Hiroshi NOHIRA",

year = "2004",

language = "Japanese",

note = "応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会 ; Conference date: 01-01-2004",

}

硬X線角度分解光電子分光法と高分解能ラザフォード後方散乱法によるHfO2/Si(100)の化学結合状態の深さ方向分析. / NOHIRA, Hiroshi.
2004. 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会.

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TY - CONF

T1 - 硬X線角度分解光電子分光法と高分解能ラザフォード後方散乱法によるHfO2/Si(100)の化学結合状態の深さ方向分析

AU - NOHIRA, Hiroshi

PY - 2004

Y1 - 2004

M3 - 口頭発表

T2 - 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会

Y2 - 1 January 2004

ER -