選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成

Translated title of the contribution: 選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成

Research output: Contribution to journal › Misc

Translated title of the contribution	選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成
Original language	Japanese
Pages (from-to)	ROMBUNNO.13A-J-8 -
Journal	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
Volume	73rd
State	Published - 27 Aug 2012

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TY - JOUR

T1 - 選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成

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PY - 2012/8/27

Y1 - 2012/8/27

UR - http://jglobal.jst.go.jp/public/201202267520803819

M3 - Misc

VL - 73rd

SP - ROMBUNNO.13A-J-8 -

JO - 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)

JF - 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)

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