選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成

荘司雄太郎, 永倉壮, 星裕介, Kentarou SAWANO, 宇佐美徳隆, 中川清和, 白木靖寛

Research output: Contribution to journal › Misc

Cite this

@article{633f876e5c744e8798a71ff426bb4ba0,

title = "選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成",

author = "荘司雄太郎 and 永倉壮 and 星裕介 and Kentarou SAWANO and 宇佐美徳隆 and 中川清和 and 白木靖寛",

year = "2012",

language = "Japanese",

volume = "73rd",

pages = "--",

journal = "応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)",

}

TY - JOUR

T1 - 選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成

AU - 荘司雄太郎, null

AU - 永倉壮, null

AU - 星裕介, null

AU - SAWANO, Kentarou

AU - 宇佐美徳隆, null

AU - 中川清和, null

AU - 白木靖寛, null

PY - 2012

Y1 - 2012

M3 - Misc

VL - 73rd

SP - -

JO - 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)

JF - 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)

ER -