選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性

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@article{8e59051bdc2d418fac696e192ba3dd56,

title = "選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性",

author = "星裕介 and Kentarou SAWANO and 平岡良康 and 山田淳矩 and 有元圭介 and 宇佐美徳隆 and 中川清和 and 白木靖寛",

year = "2009",

language = "Japanese",

volume = "56th",

pages = "--",

journal = "応用物理学関係連合講演会講演予稿集",

number = "1",

}

TY - JOUR

T1 - 選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性

AU - 星裕介, null

AU - SAWANO, Kentarou

AU - 平岡良康, null

AU - 山田淳矩, null

AU - 有元圭介, null

AU - 宇佐美徳隆, null

AU - 中川清和, null

AU - 白木靖寛, null

PY - 2009

Y1 - 2009

M3 - Misc

VL - 56th

SP - -

JO - 応用物理学関係連合講演会講演予稿集

JF - 応用物理学関係連合講演会講演予稿集

IS - 1

ER -