選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性

星裕介, Kentarou SAWANO, 平岡良康, 山田淳矩, 有元圭介, 宇佐美徳隆, 中川清和, 白木靖寛

Research output: Contribution to journal › Misc

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TY - JOUR

T1 - 選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性

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PY - 2009

Y1 - 2009

M3 - Misc

VL - 56th

SP - -

JO - 応用物理学関係連合講演会講演予稿集

JF - 応用物理学関係連合講演会講演予稿集

IS - 1

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