Ge-on-Si基板のパターニングによる歪みSiGe層中クラック発生の抑制

Translated title of the contribution: Suppression of crack formation in strained SiGe layer by patterning of Ge-on-Si substrates

我妻勇哉, ALAM Md. Mahfuz, ALAM Md. Mahfuz, 岡田和也, 星裕介, Michihiro YAMADA, 浜屋宏平, 澤野憲太郎

Research output: Contribution to journal › Misc

Translated title of the contribution	Suppression of crack formation in strained SiGe layer by patterning of Ge-on-Si substrates
Original language	Japanese
Pages (from-to)	-
Journal	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
Volume	67th
State	Published - 2020

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TY - JOUR

T1 - Ge-on-Si基板のパターニングによる歪みSiGe層中クラック発生の抑制

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PY - 2020

Y1 - 2020

M3 - Misc

VL - 67th

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JO - 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)

JF - 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)

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