XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価

XPS時間依存測定法によるSiO₂/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価

石原由梨, 渋谷寧浩, 五十嵐智, 小林大輔, Hiroshi NOHIRA, 上野和良, 廣瀬和之

Research output: Contribution to journal › Misc

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T1 - XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価

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PY - 2011

Y1 - 2011

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JO - 電子情報通信学会技術研究報告

JF - 電子情報通信学会技術研究報告

IS - 114(SDM2011 50-70)

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