研究者プロファイル
学歴
総合理工学研究科, 博士, 東京工業大学
… → 1991
工学部, 埼玉大学
… → 1986
キーワード
- 電子・電気材料工学
- 表面界面物性
研究分野
- ナノマイクロシステム
- 薄膜、表面界面物性
- 電気電子材料工学
UN SDGに関連する専門知識
2015年に、国連 (UN) 加盟国は、貧困を終わらせ、地球を保護し、すべての人の繁栄を保証するための17の全世界での持続可能な開発目標 (SDG) に合意しました。この人物の研究は、次のSDGに貢献しています。
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SDG 7 エネルギーをみんなに そしてクリーンに
フィンガープリント
- 1 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
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界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明
NOHIRA, H. (CoPI), 典幸宮田 (CoPI) & 野平 博司野平 (CoPI)
1/04/19 → …
プロジェクト: 学内教育施設等への助成金
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多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング
NOHIRA, H. (CoPI), 典幸宮田 (CoPI), 野平 博司野平 (CoPI), 純奈良 (CoPI), 隆浩山崎 (CoPI) & 杏子住田 (CoPI)
1/04/16 → …
プロジェクト: 学内教育施設等への助成金
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角度分解光電子分光法によるダイヤモンド表面の終端構造と電子帯構造の解明
NOHIRA, H. (CoPI), 野平 博司野平 (CoPI), 聡山崎 (CoPI) & 大輔竹内 (CoPI)
1/04/15 → …
プロジェクト: 学内教育施設等への助成金
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光電子分光法を用いた極薄SiO2/Si界面の欠陥とアモルファス構造の研究
NOHIRA, H. (CoPI), 廣瀬 和之廣瀬 (CoPI), 野平 博司野平 (CoPI) & 小林 大輔小林 (CoPI)
1/04/14 → …
プロジェクト: 学内教育施設等への助成金
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光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定
NOHIRA, H. (CoPI), 野平 博司野平 (CoPI) & 澤野 憲太郎澤野 (CoPI)
1/01/09 → …
プロジェクト: 学内教育施設等への助成金
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Depth-resolved analysis of charge-trap localization in SiN-based MNOS structures by operando voltage-applied hard X-ray photoelectron spectroscopy
Kirihara, Y., Yato, H., Mitani, Y. & Nohira, H., 17 4月 2026, In: Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. 65, 7, 07SP19.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 記事 › 査読
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Fabrication of non-volatile memory using Al2O3/spin-coated CeOx/SiO2/Si stack
Tanaka, H., Kirihara, Y., Mikawa, S., Yoshida, T., ISHIKAWA, R. & Nohira, H., 17 4月 2026, In: Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. 65, 7, 07SP14.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 記事 › 査読
Open Access -
Polarity-dependent time-dependent dielectric breakdown in ferroelectric AlScN
Goshima, K., Inoue, H., Yamada, Y., Kirihara, Y., Kakushima, K., Nohira, H. & Mitani, Y., 4月 2026, In: Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. 65, 8研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 記事 › 査読
Open Access -
Evaluation of the effect of hydrogen plasma treatment on the chemical bonding state and distribution of hydrogen in silicon nitride films by angle-resolved hard X-ray photoelectron spectroscopy
Kirihara, Y., Omata, H., Yasui, A., Nakagawa, K., Mitani, Y. & Nohira, H., 1 1月 2025, In: Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. 64, 1, 01SP29.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 記事 › 査読
Open Access4 被引用数 (Scopus) -
Interface state density reduction by ultraviolet-ozone treatment on Al2O3/GeO2 films
Yoshida, T., Kirihara, Y., Mikawa, S., Miura, K., Ishikawa, R. & Nohira, H., 1 5月 2025, In: Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers. 64, 5, 05SP20.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 記事 › 査読
Open Access
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2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY (外部組織)
NOHIRA, H. (メンバー)
1 4月 2020 → 1 4月 2021活動: メンバーシップとサポート › 委員会のメンバーシップ › 国際会議運営
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The Japan Society of Vacuum and Surface Science (外部組織)
NOHIRA, H. (メンバー)
1 4月 2018 → …活動: メンバーシップとサポート › 委員会のメンバーシップ › 編集
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2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY (外部組織)
NOHIRA, H. (メンバー)
1 4月 2018 → 1 4月 2019活動: メンバーシップとサポート › 委員会のメンバーシップ › 国際会議運営