プロジェクトの詳細
内容の説明
超高速撮像デバイスの実現を目指し，光電変換部の信号電子を最速で処理回路に転送する構造として逆ピラミッド型が有効である．本研究ではGe-in-Siピラミッド構造を作製するために，典型的なシリコンのウェットエッチング技術を適用した．さらに，Si と Ge の側壁界面に絶縁のための酸化膜を残した構造とする，効率的な手法を開発した．作製した構造にGeのエピタキシャル成長を施し，高速イメージング用PDの構造が実現した．
| ステータス | アクティブ |
|---|---|
| 有効開始/終了日 | 30/06/22 → … |
資金調達
- 日本学術振興会: ￥6,370,000
フィンガープリント
このプロジェクトで扱った研究トピックを検索します。これらのラベルは、プロジェクトの研究費/助成金に基づいて生成されます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。