プロジェクトの詳細
内容の説明
代表者が提案した界面ダイポール変調メモリ機構を組み込んだ多層HfO2/SiO2 型デバイスを試作し、初めてのフラッシュメモリ動作に成功した。１０万回を超える書き換え耐性およびニューロモルフィック応用が期待されるアナログ動作の確認にも成功した。また、硬 X 線光電子分光法による化学結合状態およびポテンシャルの印加電圧依存性からHfO2/SiO2界面の変調機構を考察するとともに、第一原理計算から界面近傍の化学結合の変形がポテンシャル変調を誘起することを提案した。
| ステータス | アクティブ |
|---|---|
| 有効開始/終了日 | 1/04/16 → … |
資金調達
- 日本学術振興会: ￥41,860,000
フィンガープリント
このプロジェクトで扱った研究トピックを検索します。これらのラベルは、プロジェクトの研究費/助成金に基づいて生成されます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。