光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定

角度分解X線光電子分光法を用いての熱処理とSi-capの厚さの違いがHfO_2/Si-cap/歪みGe/SiGe/Si構造の組成と化学結合状態に及ぼす影響を調べた。その結果、Ge 2p、Si 1sおよびHf 3d光電子スペクトルの解析から、本実験の条件では、Si-cap層が3～5 nmおよびSi-cap層が2nmでかつ熱処理前のとき、下層の歪みGe層の酸化を抑えられること、言い換えると歪みGe層の酸化の抑制には、未酸化のSiがGe上に存在することが必要であることを明らかにした。