角度分解光電子分光法によるダイヤモンド表面の終端構造と電子帯構造の解明

ダイヤモンドデバイス製作に不可欠なエッチングプロセス（ダイヤモンド表面損傷軽減が期待できるsoft-ICPエッチング法）による表面への影響、および高濃度にドーピングされたホウ素やリンによる表面近傍の価電子帯の変化を光電子分光装置（AXIS NovaあるいはESCA-300）、一部試料においては検出深さの大きな硬X線光電子分光法（高輝度放射光施設SPring-8、BL47XU）を用いて調べた。その結果、soft-ICPエッチング法は試料表面の化学結合状態を変化させないことが分かった。また、実験結果は、高濃度ドーピングにより、ダイヤモンド表面近傍のバンドが曲がることを示唆していた。