高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出

Hiroshi NOHIRA

高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出

電気電子通信工学科

研究成果: 会議への寄与 › ポスター

本文言語	Japanese
出版ステータス	出版済み - 2014
イベント	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) - 継続期間: 1 1月 2014 → …

会議

会議	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)
Period	1/01/14 → …

引用スタイル

NOHIRA, H. (2014). 高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出. Poster session presented at 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会).

NOHIRA, Hiroshi. / 高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出. Poster session presented at 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会).

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NOHIRA, H 2014, '高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出', 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会), 1/01/14.

高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出. / NOHIRA, Hiroshi.
2014. Poster session presented at 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会).

研究成果: 会議への寄与 › ポスター

TY - CONF

T1 - 高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出

AU - NOHIRA, Hiroshi

PY - 2014

Y1 - 2014

M3 - ポスター

T2 - 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)

Y2 - 1 January 2014

ER -

NOHIRA H. 高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出. 2014. Poster session presented at 応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会).